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三星10nm芯片明年量产 Exynos处理器速度提升20%功耗降低40%

我爱IT技术网科技快讯,国外媒体 7 月 25 日发表文章称三星已正式将 10nm FinFET (鳍式场效电晶体) 纳入半导体制程技术的开发蓝图,预定明年底量产,进度将领先台积电,成为全球最早量产 10nm 制程的晶圆代工业者。
这意味着,三星已经完成了该工艺的各种研发、设计、验证工作,认为它可以满足未来芯片所需,将正式成为三星的下一代工艺。市场预期,三星将与台积电展开新一轮争夺苹果、高通等大厂订单大战。
高通近几年提供了大部分三星旗舰设备的芯片,但三星的 Galaxy S6 却没有采用高通的芯片,而是采用其 Exynos 7420 芯片。三星投入了大量的资金和人力开发和制造了 Exynos 系列芯片,目的就是超越高通。
Exynos 7420 采用的是 14nm FinFET 工艺制程,这款处理器不管是在性能还是功耗上都完胜于市面上其他使用 20 nm FinFET 工艺制程的处理器,例如高通骁龙 810 (该处理器因为过热问题而备受诟病) 。外界预计,10nm FinFET 工艺制程将使 Exynos 处理器功耗降低 40%,速度提升 20%。
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