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本文发布时间:2016-05-02 22:11 编辑:勤奋者
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数据三态缓冲器不一定要接上拉电阻，早期的器件是TTL电路，高电平的驱动能力弱，低电平驱动能力强，用增加上拉电阻的方式增强高电平的带载能力，同时降低了低电平的带载能力。现在多数是COMS器件，高、低电平的驱动能力是一致的，就没有必要加上拉电阻。一般的三态缓冲器不是集电极开路输出结构。有些单片机的I/O口工作模式多，有时是集电极（实际是漏极）开路输出。
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